用作精细陶瓷原料粉，用于生产半导体薄膜生产用坩埚。
常温密闭，阴凉通风干燥
1.以金属锆和硅粉为原料。将金属锆粉碎，再与硅粉充分混合，将混合料放入石墨炉内，加热至900～1000℃进行预反应，然后通入氢气，再升温至1200℃左右进行反应，制得硅化锆。
2.采用直接法。以金属锆和硅粉为原料制备硅化锆，反应式如下。
首先将金属锆粉碎，再与硅粉充分混合，将混合料放入石墨炉内，加热至900～1000℃进行预反应，然后通入氢气，再升温至1200℃左右进行均化反应，即制得硅化锆。
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首先将金属锆粉碎，再与硅粉充分混合，将混合料放入石墨炉内，加热至900～1000℃进行预反应，然后通入氢气，再升温至1200℃左右进行均化反应，即制得硅化锆。
