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如何提高对晶圆表面颗粒污垢和有机污垢的清洗效果

摘要:

在晶圆化学机械研磨(CMP)后,表面残留的细微颗粒和有机污垢清洗难度大。邦普化学的Texent629A非离子表面活性剂凭借优异的润湿性和有机污垢溶解能力,结合FA-31T1的颗粒去除优势,二者协同作用可显著提升对晶圆清洗效果。

 

关键词:

晶圆化学机械研磨(CMP清洗Texent629AFA-31T1、表面活性剂、提高润湿性、清洗颗粒污垢

 

在晶圆完成化学机械研磨(CMP)后,其表面会残留大量研磨颗粒和有机污垢。仅借助兆声波清洗、喷淋清洗等物理方法,难以有效去除细微颗粒及有机残留,所以需要搭配高效的化学清洗剂,以提升整体清洗效果。

 

邦普化学Texent629A非离子表面活性剂具有优异的润湿性,能有效降低清洗液的表面张力,使其快速渗透至晶圆表面的微小结构,增强对研磨粉末的润湿清洗效果。同时,Texent629A对有机污垢的溶解清洗能力强,能有效溶解并分散晶圆表面的有机残留物,防止污染物重新吸附在晶圆表面。  

 

为进一步提升清洗剂的综合性能,可以搭配FA-31T1使用。FA-31T1对颗粒污垢具备较强的去除能力,能够协同增强清洗体系对硅粉、氧化铝等研磨残留物的清洗效果。二者组合使用优化了清洗剂对有机污垢和颗粒物的去除效率,提升了对晶圆的清洗效果。   

 

综上所述,Texent629A非离子表面活性剂凭借其出色的润湿性和有机物溶解能力,结合FA-31T1的颗粒去除优势,为CMP后清洗提供了高效的化学解决方案,有助于提升晶圆清洗的效率。

 

 

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