FAS-1表面活性剂在晶圆CMP后清洗中的应用

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FAS-1表面活性剂在晶圆CMP后清洗中的应用

关键词：晶圆硅片清洗、化学机械研磨（CMP）清洗、 FAS-1表面活性剂、除硅粉颗粒

摘要：‌

晶圆化学机械研磨（CMP）后的清洗是保障后续工艺精度的关键环节。邦普化学的FAS-1表面活性剂展现出卓越的颗粒去除能力，其清洗性能明显优于其他同类表面活性剂，为晶圆CMP后清洗提供可靠的清洗原料。

关键词：‌

晶圆硅片清洗、化学机械研磨（CMP）清洗、FAS-1表面活性剂、除硅粉颗粒

在晶圆制造工艺里，化学机械研磨（CMP）是极为关键的平坦化步骤。然而，研磨完成后，晶圆表面常常会残留大量的硅粉颗粒以及有机污垢。这些残留物会严重影响后续的薄膜沉积、光刻以及刻蚀等工艺，所以，高效的清洗剂对于提升晶圆制造质量而言至关重要。

邦普化学FAS-1阴离子表面活性剂展现出卓越的颗粒去除能力，特别是对硅粉颗粒的清洗效果极为显著。它能够有效降低颗粒与晶圆表面之间的黏附力，使硅粉等微粒迅速从基底脱离。

在实验测试中，于相同条件下，测试FAS-1等表面活性剂对硅粉颗粒污垢的清洗效果。结果显示，FAS-1在去除硅粉颗粒方面表现出显著性能优势，清洗能力明显优于其他表面活性剂。

邦普化学FAS-1表面活性剂凭借其出色的颗粒去除能力及性价比，为晶圆CMP后清洗提供了高效可靠的清洗原料，有助于提升晶圆清洗的良品率和产品性能。

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