【专利】六方半导体申请CVD法制备碳化硅材料的表面处理工艺方法专利

时间：2026-05-15 11:30 | 说化有益

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本发明涉及一种CVD法制备碳化硅材料的表面处理工艺方法，包括以下步骤：将CVD法制备得到的碳化硅材料置于氧化炉内，进行氧化处理，以在碳化硅材料表面形成氧化层；去除所述氧化层。所述氧化处理包括以下步骤：通入氧气，以3‑5℃/min速度由室温升温至第一预设温度，并进行保温处理；以2‑3℃/min速度继续升温至第二预设温度，再以0.8‑1.2℃/min速度升温至目标工艺温度，并进行保温氧化；以2.5‑3.5℃/min速度降温至所述第一预设温度，再以1.3‑1.8℃/min速率降温至第三预设温度，最后自然降温。通过氧化工艺对碳化硅材料进行处理，将缺陷层均匀氧化，在其表面形成一层氧化层（二氧化硅膜），再去除氧化层，从而消除表面缺陷，进而显著提高SiC材料的寿命和刻蚀工艺的稳定性和良率。

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